一款高三阶交调点的GaAs射频放大器  

A GaAs radio frequency amplifier with high output third-order intercept point

作　　者：喻阳 万开奇 周宏波 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060

出　　处：《电子产品世界》2023年第6期72-74,共3页Electronic Engineering & Product World

摘　　要：介绍了一款满足于5G通信发展要求,工作频率高增益,高线性度,高三阶交调点的射频放大器的设计。采用砷化镓异质结晶体管(GaAs HBT)工艺,基于达林顿结构进行设计。在原有结构基础上,添加了偏置结构,一方面提高了放大器工作状态的线性度,提高了三阶交调点指标;另一方面保证晶体管工作电流在-55℃,125℃工作状态下保持稳定。放大器能够工作在10 MHz~4 GHz,输出三阶交调点达到40 dBm,线性度高,适用于5G通信信号处理系统。

关 键 词：射频放大器 GaAs HBT 三阶交调点 高线性度 

分 类 号：TN722[电子电信—电路与系统]