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作 者:邱小东 王开礼 陈鹏 张翼 QIU XiaoDong;WANG KaiLi;CHEN Peng;ZHANG Yi(School of Physics,Nanjing University,Nanjing 210093,China;School of Physics and Astronomy,Shanghai Jiao Tong University,Shanghai 200240,China)
机构地区:[1]南京大学物理学院,南京210093 [2]上海交通大学物理与天文学院,上海200240
出 处:《中国科学:物理学、力学、天文学》2023年第6期147-176,共30页Scientia Sinica Physica,Mechanica & Astronomica
基 金:国家自然科学基金(编号:11790311,92165205);国家重点研发计划(编号:2018YFA0306800,2021YFE0194100);上海科技创新行动计划(编号:21JC1403000)资助项目。
摘 要:材料的电子结构是决定其电、磁、光等性质的关键因素,而能够直接观测材料电子结构的角分辨光电子能谱(Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy,ARPES)技术是研究材料的基本物理和化学性质的先进技术手段之一.近年来,各种具有优异性能的二维材料被人们不断发掘出来,并有望成为未来光电、电子和自旋器件的基础材料.本文将对ARPES的构成和原理做简要的介绍,并总结了当前利用ARPES技术研究二维材料电子结构及其基本物性的前沿进展.本文所关注的二维材料体系主要包含以下四个部分:石墨烯、氮化硼、单元素二维材料、过渡金属硫族化合物.其中对石墨烯的ARPES研究成果最为丰富,对它的研究直接引领了对其他二维材料的ARPES研究.当前,对基于不同二维材料相互堆叠形成的异质结构的研究正方兴未艾,我们在文中也提及一部分关于二维堆垛异质结构的ARPES研究.The electronic structure of a material is the key factor to determine its electronic,magnetic,and optical properties.As an advanced technique to directly observe the electronic structure,angle-resolved photoemission spectroscopy(ARPES)has been widely used for studying the fundamental physical and chemical properties of a material.In recent years,enormous two-dimensional(2D)materials with outstanding performances have been continually discovered,promising for future applications in optoelectronic,electronic,and spintronic devices.In this review article,we briefly introduce the basic components and principles of an ARPES system,and review the frontier progress of the ARPES studies on the electronic structures and fundamental physical properties of 2D materials.The 2D materials reviewed in this article can be categorized in four parts:graphene,h-BN,single element 2D materials,transition metal dichalcogenides(TMDCs).Among them,the ARPES results on graphene are the most fruitful,and have stimulated the expanding researches on the other 2D materials.In present,the studies on 2D van der Waals heterostructures have attracted great attention.We also include some ARPES studies on 2D stacking heterostructures.
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