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作 者:向飞[1] 夏俊 苟超 XIANG Fei;XIA Jun;GOU Chao(Sichuan Institute of Solid-State Circuits,China Electronics Technology Group Corp.)
机构地区:[1]中国电子科技集团公司第二十四研究所
出 处:《中国集成电路》2023年第6期40-43,57,共5页China lntegrated Circuit
摘 要:本文介绍了一种无需基准电压的过温保护电路,将具有正温度系数的不同面积三极管BE结电压差放大后再与具有负温度系数的三极管BE结电压进行比较,产生过温保护控制信号。采用对电源电压不敏感的电流偏置结构,保证了过温保护点和过温恢复点的电压稳定性。基于4μm双极工艺设计和流片,测试结果表明:过温保护点在160℃~165℃,过温恢复点在145℃~155℃,与设计值基本吻合。This paper presents an over-temperature protection circuit without reference voltage,which generates an over-temperature control signal by comparing a voltage with positive-temperature coefficient and triode's base-emitter voltage with negative-temperature coefficient.The voltage with positive-temperature coefficient was obtained by getting a subtraction of base-emitter voltages of two triodes with different area.The proposed circuit has been implemented in a 4-μm bipolar process.The testing results show that the over-temperature protection point is around 160℃~165℃and the over-temperature recovery point is around 145℃~155℃,which are basically consistent with the design values.
分 类 号:TN40[电子电信—微电子学与固体电子学]
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