Ni_(2)O_(3)掺杂对大功率压电陶瓷性能的影响  

作　　者：盖学周 汪跃群 项光磊 

机构地区：[1]第七一五研究所,杭州310023

出　　处：《声学与电子工程》2023年第2期13-16,共4页Acoustics and Electronics Engineering

摘　　要：为获得综合性能较好且原材料成本低的二元系大功率压电陶瓷材料,采用电子陶瓷制备工艺,制备了Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_(3)+amol%CaFeO_(5/2)+xwt%Ni_(2)O_(3)压电陶瓷,研究了Ni_(2)O_(3)掺杂量对陶瓷介电及压电性能的影响,并对其晶粒形貌、铁电性能及居里温度进行了表征。实验表明,适量Ni_(2)O_(3)掺杂可以改善压电陶瓷的介电及压电性能,在Ni_(2)O_(3)掺杂量为0.10wt%时,制备的压电陶瓷综合性能最佳,具体参数如下:ε_(33/)^(T)ε_(0)=1259,tgδ=0.24%,K_(p)=0.552,d_(33)=268pC/N,Q_(m)=882;陶瓷断面SEM测试表明,晶粒大小均匀、细晶,断裂方式以沿晶断裂为主;铁电测试表明,室温下其电滞回线呈“束腰”形状,随着测试温度增加,电滞回线逐渐打开,110℃时,呈现出典型的铁电电滞回线,此时矫顽场E_(c)=1472V/mm,内偏置场E_(i)=225V/mm;居里温度测试表明,T_(c)=313℃、在室温~100℃范围内,tgδ≤0.50%。

关 键 词：Ni_(2)O_(3)掺杂 大功率压电陶瓷 细晶 矫顽场 内偏置场 

分 类 号：TQ174.7[化学工程—陶瓷工业]