一种适用于压接型IGBT瞬态大电流测量的PCB罗氏线圈  

作　　者：张淏 刘欣[1] 王利桐 

机构地区：[1]华北电力大学(保定)

出　　处：《电气技术与经济》2023年第4期115-121,136,共8页Electrical Equipment and Economy

摘　　要：为保证电力电子器件瞬态电流测量准确,大多数场景下必须考虑邻近导体对被测器件电流测量产生的影响,而对于邻近导体的磁场,目前并没有有效的方法消除。文中基于一种特定工况,提出了一种考虑邻近导体耦合项的测量方法,通过使用定制的PCB罗氏线圈测量压接型IGBT瞬态电流,并将其与实际电流参照值曲线进行量化对比,验证了此测量方法的准确性。另外,文中考虑了器件因电流馈入位置不对称而导致电流非均匀分布的实际情况,消除了模型误差,进一步阐述了PCB罗氏线圈在定制化方面相较于传统罗氏线圈的优势。

关 键 词：瞬态电流测量 PCB罗氏线圈 非均匀分布 压接型IGBT 邻近导体 

分 类 号：TN41[电子电信—微电子学与固体电子学] TN322.8