反光电子能谱仪  

Inverse Photoemission Spectrometer IPES-1

出　　处：《中国科学院院刊》2023年第S01期48-48,共1页Bulletin of Chinese Academy of Sciences

摘　　要：主要技术与性能指标,真空度:≤5×10^(−6) Pa,能量分辨:优于0.3 eV,束斑尺寸:直径5-10 mm,入射电子能量范围:3.5-30 eV主要应用,用于材料非占据态能级结构表征、无机半导体及有机半导体导带底位置表征,代表性应用成果单晶硅导带底表征:以3.5-30 eV低能电子束逐能点扫描单晶硅(100)表面。

关 键 词：有机半导体 无机半导体 导带底 低能电子束 光电子能谱仪 能级结构 入射电子 能量范围 

分 类 号：O621.251[理学—有机化学]