一种吸收式微波限幅器设计方法  

作　　者：杜伟 邓世雄[1] 白锐[1] 孙一航 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051

出　　处：《电子元器件与信息技术》2023年第5期5-7,共3页Electronic Component and Information Technology

摘　　要：本文介绍了一种基于lange电桥结构的吸收式微波限幅器设计方法。限幅电路采用PIN二极管和lange耦合器结构,可实现小型化和高性能限幅特性。测试结果表明,在S频段限幅器插入损耗小于0.9dB,可承受峰值超过100W的功率,限幅器隔离度大于26dB。该设计方法可显著缩小限幅器产品体积,提高限幅器性能,具有广阔的应用前景。

关 键 词：限幅器 吸收式 LANGE耦合器 

分 类 号：TN957[电子电信—信号与信息处理]