P波段高效率CaN功率放大器内匹配技术研究  

作　　者：倪涛[1] 张晓帆[1] 银军[1] 李晶 余若褀 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051

出　　处：《通讯世界》2023年第6期145-147,共3页Telecom World

摘　　要：受波长限制,P波段GaN功率放大器一般采用外电路匹配的结构形式,无法满足装备小型化和轻量化的需求。为解决大波长功率器件的小型化、宽带宽和高效率难题,采用无源电感、电容、功分器等一体集成的GaAs无源电路匹配技术和高介电常数印制电路板(printed circuit board,PCB)与芯片电容的异构集成技术,大幅提高输入输出匹配电路的带宽与集成度,实现了50Ω端口阻抗匹配,解决了P波段放大器内匹配技术难题。所研制P波段GaN内匹配放大器集成封装于内腔尺寸为13.6 mm×13.6 mm的金属陶瓷管壳内,在0.38 GHz~0.70 GHz频带内、工作电压28 V、工作脉宽100μs、占空比10%的工作条件下,带内输出功率大于120 W,功率增益13.1~13.8 dB,附加效率为76%~82%的性能指标。

关 键 词：GaN功率放大器 GaAs IPD 内匹配 高效率 小型化 

分 类 号：TN722[电子电信—电路与系统]