C波段无源双平衡混频器的设计与分析  

作　　者：杜兴宇 

机构地区：[1]电子科技大学,四川成都611731

出　　处：《电子制作》2023年第16期104-106,共3页Practical Electronics

摘　　要：本文基于WIN半导体的0.15μmGaAspHEMT工艺,设计了一款工作频段为4.5~6GHz的无源双平衡混频芯片。整体电路集成了肖特基二极管环路、射频及本振端微带螺旋巴伦以及匹配网络等.部分,最终版图尺寸为1000μm×700μm。通过ADS仿真软件测试,在C波段全频带内,混频网络可实现7dB以内的变频损耗,最小值为65dB,本振到射频隔离度大于35dB,本振到中频隔离度大于30dB,输入1dB压缩点大于15dBm,中频带宽可以达到2GHz。

关 键 词：双平衡混频器 微带巴伦 变频损耗 隔离度 

分 类 号：TN773[电子电信—电路与系统]