太赫兹超材料宽带吸收器  

作　　者：陆延通 文天龙 张怀武[1] 

机构地区：[1]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054

出　　处：《电子制作》2023年第17期111-113,105,共4页Practical Electronics

摘　　要：本文通过使用低于.趋肤深度的金属来设计并制作太赫兹超材料吸收器,在046THz~107THz频率范围内实现了宽频带吸收器,对应的90%相对吸收带宽为7974%。这种宽带吸收性能是由超材料阵列的电偶极子谐振和F-P谐振吸收峰叠加而成的。低于趋肤深度的金属电导率与其厚度息息相关,总体来说,金属厚度越小,电导率也越小,对电磁波的损耗越高。而用高损耗金属制作成太赫兹超材料吸收器,可以增加吸收带宽,因此用低于趋肤深度的金属铂超材料设计成的宽带吸收器,仅由两个吸收峰叠加就可以得到很宽范围内的高吸收。

关 键 词：太赫兹 超材料 趋肤深度 宽带吸收器 极化不敏感 

分 类 号：TB34[一般工业技术—材料科学与工程]