硒化铜/硒化锌复合物的制备及性能表征  

Preparation and Property Characterization of CuSe/ZnSe Composites

作　　者：付晓雪 蒋瑞枫 刘忠民 FU Xiaoxue;JIANG Ruifeng;LIU Zhongmin

机构地区：[1]山东师范大学化学化工与材料科学学院,济南250014 [2]山东师范大学实验室与设备管理处,济南250014

出　　处：《理化检验（化学分册）》2023年第8期974-977,共4页Physical Testing and Chemical Analysis(Part B:Chemical Analysis)

基　　金：国家自然科学基金项目(No.51173069);山东师范大学大型仪器设备开放基金项目(KFJJ2017008)。

摘　　要：硒化物半导体具有可控的形貌和相结构,在热电、激光、光学滤波器、太阳能电池和传感器等领域有着广泛应用。1996年,美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室的研究人员首次提出并验证了过渡金属元素表面掺杂Ⅱ-Ⅵ族半导体晶体作为中红外激光增益介质的可能性。经过表面修饰的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料具有优异的中红外光学性能,已经投入工业生产[1]。2000年,铜掺杂硒化锌(Cu:ZnSe)半导体纳米晶体被首次报道(量子产率2%~4%)[2]。2005年,彭笑刚团队[3]将掺杂方法分为生长掺杂和成核掺杂两种,并采用生长掺杂法制备了高质量的Cu:ZnSe量子点(量子产率10%~30%),该量子点会发出明亮的翠绿色光。

关 键 词：过渡金属元素 硒化物 量子产率 硒化锌 光学滤波器 利弗莫尔 表面掺杂 硒化铜 

分 类 号：O793[理学—晶体学]