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作 者:张罗茜 尹欢 陈越 朱明奎 苏言杰 ZHANG Luo-xi;YIN Huan;CHEN Yue;ZHU Ming-kui;SU Yan-jie(Key Laboratory of Film and Microfabrication(Ministry of Education),School of Electronics,Information and Electrical Engineering,Shanghai Jiao Tong University,Shanghai 200240,China)
机构地区:[1]上海交通大学电子信息与电气工程学院薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海200240
出 处:《中国光学(中英文)》2023年第5期1243-1257,共15页Chinese Optics
基 金:国家自然科学基金(No.61974089)。
摘 要:利用半导体性单壁碳纳米管(SWCNT)的高吸收系数、优异的光电特性和高载流子迁移率等特点,本文构筑了基于半导体SWCNT(sc-SWCNT)/富勒烯(C60)异质结的透明全碳宽光谱的场效应晶体管光电探测器。该器件的大部分结构均由碳基材料组成,全碳异质结作为导电沟道材料,金属性SWCNT作为源漏电极,氧化石墨烯(GO)作为介质层,在可见光波段的透光率均高于80%。电学测试结果表明:该光电探测器表现出了较强的栅控能力,实现了从405~1064 nm的可见光-近红外宽光谱响应,在5 mW/cm^(2)的940 nm激光照射下,该器件光电响应率可以达到18.55 A/W,比探测率达到5.35×10^(11)Jones,同时,表现出了优异的循环稳定性。Taking advantage of the high absorption coefficient,excellent photoelectric properties,and high carrier mobility of Single-Walled Carbon NanoTubes(SWCNTs),high-performance,transparent,all-carbon Field-Effect Transistor(FET)photodetector has been constructed with a high transmittance more than 80%in the visible light band,in which semiconducting SWCNT(sc-SWCNT)/fullerene(C60)heterojunctions as the channel materials,patterned metallic SWCNT film as source/drain electrodes,graphene oxide(GO)as the dielectric layer,and Indium Tin Oxide(ITO)as a transparent gate electrode.The electrical test results show that the photodetector exhibits a strong gate-tunable characteristics,and achieves a broadband spectral response from 405 to 1064 nm in the visible-near infrared spectral region.Under 940 nm illumination with a light density of 5 mW/cm^(2),the maximum photoelectric responsivity of 18.55 A/W and a specific detectivity of 5.35×10^(11) Jones can be achieved.
关 键 词:单壁碳纳米管 富勒烯 全碳异质结 高透明度 场效应晶体管光电探测器
分 类 号:TN15[电子电信—物理电子学]
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