一种Nand Flash错误数据冗余替换方法  

作　　者：韩彦武 

机构地区：[1]西安紫光国芯半导体股份有限公司

出　　处：《中国集成电路》2023年第9期57-59,共3页China lntegrated Circuit

摘　　要：为了解决现有NAND闪存(Nand-Flash)写操作冗余替换方法耗时较长的技术问题,本文提供了一种新型Nand-Flash错误数据冗余替换方法。引入先进先出(FIFO)结构并将FIFO分成两部分,一部分用来存储页面缓存区(page buffer)中要替换的字节的位置,另一部分存储读回的包含替换字节的数据,输出时通过硬件选出所有要替换的字节一次写入冗余区域,整个冗余替换过程耗时较短。

关 键 词：Nand Flash 写操作 冗余替换 FIFO 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]