西安交大材料创新设计中心成功实现相变存储器件的原子模拟  

出　　处：《陕西教育（高教版）》2023年第11期9-9,共1页

摘　　要：日前,《自然-电子学》(Nature Electronics)在线发表了西安交通大学与牛津大学的合作论文“Device-scale atomistic modelling of phase-change memory materials”,同时期刊编辑在Research Briefing专栏对该文章进行了专题推荐。为了解决该问题,西安交通大学金属材料强度国家重点实验室材料创新设计中心张伟教授和牛津大学化学系Volker L.Deringer教授通力合作,利用先进的机器学习方法并基于高斯近似势能GAP框架。

关 键 词：西安交大 期刊编辑 国家重点实验室 材料创新 牛津大学 相变存储器 西安交通大学 金属材料 

分 类 号：TG139[一般工业技术—材料科学与工程] TP333[金属学及工艺—合金]