基于GO在Ge-基钙钛矿太阳能电池中的应用研究  

Investigation on the Use of GO in Ge-based Perovskite Solar Cells

作　　者：陆成伟 欧阳雨洁 张胜军 郝艳玲[1] 王传坤[1] LU Cheng-wei;OUYANG Yu-jie;ZHANG Sheng-jun;HAO Yan-ling;WANG Chuan-kun(Minzu Normal University of Xingyi,Xingyi 562400,China)

机构地区：[1]兴义民族师范学院,兴义562400

出　　处：《价值工程》2024年第1期110-112,共3页Value Engineering

基　　金：大学生创新创业训练课题(202210666116);兴义民族师范学院重大项目(21XYZD09);兴义民族师范学院博士基金(23XYBS17);兴义民族师范学院教授科研基金(19XYJS05);贵州省教育厅拔尖人才项目(黔科教[2022]094)。

摘　　要：采用GO作为空穴传输层,利用SCAPS-1D软件研究了FTO/TiO_(2)/CH_(3)NH_(3)GeI_(3)/IDL/GO/Al结构的钙钛矿太阳能电池的性能。该器件的性能受CH_(3)NH_(3)GeI_(3)/GO界面缺陷、CH_(3)NH_(3)GeI_(3)介电常数等因素的影响。In this paper,SCAPS-1d software is used to study the FTO/TiO_(2)/CH_(3)NH_(3)GeI_(3)/IDL/GO/Al structure of perovskite performance of solar cells by using GO as hole transport layer.The performance of the device is affected by CH_(3)NH_(3)GeI_(3)/GO interface defect,CH_(3)NH_(3)GeI_(3) dielectric constant and other factors.

关 键 词：钙钛矿太阳能电池 空穴传输层 SCAPS-1D 界面缺陷 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]