半导体功率器件用氮化硅基片专利技术专利现状  

作　　者：杨凌艳 赖欣 

机构地区：[1]国家知识产权局专利局专利审查协作四川中心

出　　处：《中国科技信息》2024年第4期17-19,共3页China Science and Technology Information

基　　金：国家知识产权局学术委员会2023年度半导体功率器件用陶瓷基板及金属化技术专利分析研究课题。

摘　　要：本文详细梳理了半导体功率器件用氮化硅基片的专利申请趋势、全球专利有效量占比、全球重点申请人、全球专利关注技术功效占比等,希望能对国内氮化硅基片的研发以及产业化提供一些指导方向。

关 键 词：专利申请趋势 氮化硅基 重点申请人 专利技术 技术功效 全球专利 指导方向 产业化 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学] G255.53[文化科学—图书馆学]