过渡金属掺杂CdO基稀磁半导体材料的研究  

作　　者：李明 

机构地区：[1]长江存储科技有限责任公司

出　　处：《有色金属（冶炼部分）》2024年第3期I0001-I0001,共1页Nonferrous Metals（Extractive Metallurgy)

摘　　要：磁性半导体材料在电子学和磁性存储器等领域具有重要应用价值.过渡金属掺杂CdO基稀磁半导体材料是一类备受关注的材料,其具有高居里温度、大磁矩和窄带隙等特性,主要应用在磁性存储器、磁性传感器和磁性逻辑器件等领域.过渡金属元素的掺杂可以改变CdO材料的电子结构和磁性质,从而实现对材料性能的调控.通过合适的过渡金属元素掺杂,可以引入局域磁矩,使CdO材料表现出稀磁性质.此外,过渡金属掺杂还可以调节CdO材料的导电性能和光学性质,为其在光电器件和催化剂等领域的应用提供了可能.

关 键 词：过渡金属元素 过渡金属掺杂 材料性能 磁性传感器 高居里温度 光学性质 光电器件 磁性质 

分 类 号：O469[理学—凝聚态物理]