基于SE技术的硼扩散和氧化退火工艺研究  

作　　者：成秋云 陈骏 李明 赵增超 刘湘祁 

机构地区：[1]湖南红太阳光电科技有限公司,湖南长沙430100

出　　处：《科技风》2024年第8期55-57,91,共4页

摘　　要：文中探究了关于N-TOPCon电池应用于选择性发射极(SE)技术中的硼扩散和氧化退火工艺。通过设定实验变量,包括无氧推进过程及其所处的硼扩散和氧化退火工艺阶段,进行了方阻、ECV和钝化方面测试验证。在氧化退火工艺中,低温氧气注入(860℃)能够改善整个非SE区域方阻的均匀性,延长升温无氧推进过程会降低方阻的均匀度;利用氧化硅和硅对于硼原子的不同扩散系数,低温氧气注入可以有效抑制硼原子的剧烈扩散,改善方阻均匀度。实验通过低温氧气注入,片内方阻的标准方差由32.5%改善至2.5%,增加了方阻均匀度。硼扩散工艺在BCl_(3)源沉积后的推进程度决定了氧化退火工艺后的非SE区域的方阻和表面浓度。实验通过调节硼扩散的推进程度使得表面浓度由1.2E19atom/cm^(3)降低至5E18atom/cm^(3),表面暗电流饱和密度由47fA/cm^(2)降低至37fA/cm^(2),I-Voc提升了8mV。有效降低了饱和暗电流以及提升了开路电压。

关 键 词：低温氧化 方阻均匀度 推进 表面浓度 饱和暗电流密度 

分 类 号：TG1[金属学及工艺—金属学]