多芯片IGBT并联模块耦合特性研究  

作　　者：张桥 颜家圣 李新安 段彬彬 王维 朱玉德 

机构地区：[1]湖北台基半导体股份有限公司大功率半导体技术湖北省重点实验室,湖北襄阳441021

出　　处：《电子制作》2024年第7期116-119,共4页Practical Electronics

摘　　要：本文根据模块部件的布局、DBC覆铜板、铝键合线的过流能力、杂散电感方面,结合布局结构进行边界条件仿真,在高电流密度下DBC覆铜板、键合线的电流密度、铝键合线电热场分布、形变量、拱形顶部和键合线根部等效应力,验证芯片排布的均匀性及模块热特性,仿真验证了MGC600A模块的设计。通过多IGBT芯片并联排布的考虑电磁-热场等多场耦合应用仿真,有效解决大电流IGBT模块的均流和热均匀分布。

关 键 词：IGBT 结构场仿真 键合铝线过流能力 杂散电感 电流密度 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]