检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]三峡大学,湖北宜昌443000 [2]华中师范大学物理科学与技术学院夸克与轻子物理教育部重点实验室,湖北武汉430079
出 处:《今日制造与升级》2024年第2期12-14,17,共4页Manufacture & Upgrading Today
基 金:国家重点研发计划的资助(2020YFEO202002)。
摘 要:基于TSMC BCD 180nm工艺设计并流片测试了一款低压低温漂带隙基准芯片,用于高能物理实验。该芯片主要基于NICA-MPD探测器工程项目的需求,实现在极端温度环境中正常输出电压的功能。该芯片的核心模块带隙基准模块采用二阶温度补偿结构,测试结果表明该芯片在1.8V电源电压下,能稳定输出0.9V电压,功耗约为46.5μW,在-40~120℃内温度系数约为29×10^(-6)/℃,电源抑制比为-76.8dB。
关 键 词:Bandgap 低电源电压 低温漂 低功耗 高阶温度补偿
分 类 号:TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]
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