半导体晶圆检测关键连续波深紫外激光光源研制  被引量:2

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作  者:徐国锋 王正平[1] 王树贤[1] 武奎[1] 梁飞[1] 路大治 张怀金[1] 于浩海[1] 

机构地区:[1]山东大学晶体材料研究院,晶体材料国家重点实验室,济南250100

出  处:《人工晶体学报》2024年第4期739-739,共1页Journal of Synthetic Crystals

摘  要:深紫外激光是半导体领域的关键光源。基于非线性频率变换的全固态深紫外激光具有结构紧凑、价格低廉等优势,有广泛需求。受限于晶体非线性系数较线性介电常数小数个数量级,深紫外激光通常以具有高峰值(千瓦级)的脉冲形式获得,连续波深紫外激光效率较低,其实用化极其困难。高峰值的紫外激光通常会对半导体表面及内部产生损伤,限制了半导体晶圆缺陷等装备的应用和发展。

关 键 词:半导体领域 半导体表面 连续波 深紫外激光 非线性系数 半导体晶圆 脉冲形式 介电常数 

分 类 号:TN248[电子电信—物理电子学] TN307

 

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