使用三同轴法测试射频同轴连接器屏蔽衰减的研究  

作　　者：张嘉培 

机构地区：[1]上海航天科工电器研究院有限公司,上海200331

出　　处：《机电信息》2024年第8期67-70,共4页

摘　　要：在实际工作中,通常会对线缆组件进行屏蔽衰减测试,而对其连接器进行屏蔽衰减测试对于系统整体的抗电磁干扰设计有着重要的意义。由于连接器本身耦合长度较小而在实际测试中面临着测试频段下限低于链路下截止频率的问题,测试证明通过使用延长管而增加耦合长度能较准确地测得转接器的屏蔽衰减,同时也发现使用更合适的对接方式及测试夹具可以有效减少被引入误差,从而更好地提高测试有效性。

关 键 词：连接器 三同轴 屏蔽衰减 电磁兼容 

分 类 号：TM931[电气工程—电力电子与电力传动]