德州仪器转型8英寸GaN工艺  

出　　处：《变频器世界》2024年第3期28-28,共1页The World of Inverters

摘　　要：德州仪器(TI)近日披露了在GaN功率器件工艺方面新的战略规划,该公司正在将其GaN-on-Si生产工艺从6英寸向8英寸过渡。3月5日,TI韩国总监Ju-YongShin表示,TI正在美国达拉斯、日本会津和其他地方兴建8英寸晶圆厂。据Shin介绍,TI目前采用6英寸工艺生产GaN半导体,达拉斯工厂有望在2025年之前过渡到8英寸工艺,而在日本会津工厂,TI正在将现有的硅基8英寸生产线转换为GaN半导体生产线。

关 键 词：半导体生产线 德州仪器 功率器件 达拉斯 战略规划 TI 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]