lift⁃off制程PEB温度对负性光阻显影后截面Profile的影响  

作　　者：齐鹏 王颢然 孙鹏 姜倍鸿 邢栗 

机构地区：[1]沈阳芯源微电子设备股份有限公司,辽宁沈阳110168

出　　处：《信息记录材料》2024年第3期228-230,共3页Information Recording Materials

摘　　要：本文研究了lift⁃off(揭开-剥离)制程曝光后烘烤温度(post exposure bake,PEB)对负性光阻显影截面Profile(光刻胶结构)的影响。结果表明:在保留原有PEB盘面加热的方式前提下通过增加PEB盘盖加热功能进行烘烤,通过控制PEB盘面温度可调整光阻关键尺寸(critical dimension,CD)及截面Profile形貌,通过控制PEB盘盖加热可调整截面Profile光阻顶端形貌及强度,可显著改善负性光阻显影后截面Profile难以调整的问题。另外,不同的盘面温度、不同盘盖温度以及不同的显影时间相互配合,可以实现一种负性光阻产生不同截面光刻胶结构效果,可以实现同种光阻lift⁃off制程多样化。

关 键 词：lift⁃off 负性光阻 截面Profile PEB盘盖加热 

分 类 号：TN705[电子电信—电路与系统]