基于亚阈值区的CMOS带隙基准电压源设计  

Design of a subthreshold CMOS bandgap reference voltage source

作　　者：郭俊 郭小平 詹国斌 叶晨宇 

机构地区：[1]湖州职业技术学院信息工程与物联网学院,浙江湖州313000 [2]杭州昀至科技有限公司,浙江杭州311215 [3]杭州朗迅科技股份有限公司,浙江杭州310052

出　　处：《电子产品世界》2024年第2期19-23,共5页Electronic Engineering & Product World

基　　金：2023年度高校国内访问工程师校企合作项目(FG2023149)。

摘　　要：基准源是芯片的重要组成模块之一,其性能优劣直接影响整个电子系统运行的稳定性。带隙基准源的核心思想是利用正温度和负温度系数电路叠加,以产生不随温度变化的电路结构。利用晶体管在亚阈值工作区间内的电压电流特性,提出一种互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor,CMOS)带隙基准电压源结构,从而消除了传统经典电源中对双极结型晶体管(bipolar junction transistor,BJT)工艺的依赖。此外,在低温段和高温段分别增加二阶补偿电路。仿真结果表明,在Cadence软件的台积电65 nm工艺下,提出的基准源成功实现了温度补偿,并在较宽的温度范围内具有较低的温漂系数。

关 键 词：带隙基准 CMOS 二阶补偿 温漂系数 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]