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作 者:彭欢庆 王金婵 赵芃 张金灿 樊云航 张立文 PENG Huanqing;WANG Jinchan;ZHAO Peng;ZHANG Jincan;FAN Yunhang;ZHANG Liwen(College of Information Engineering,Henan University of Science and Technology,Luoyang,Henan 471023,P.R.China)
机构地区:[1]河南科技大学信息工程学院,河南洛阳471023
出 处:《微电子学》2024年第1期45-53,共9页Microelectronics
基 金:国家自然科学基金(61804046);河南省科技攻关项目(232102211066)。
摘 要:针对无线接收机需要对不同强度信号进行不同程度放大的要求,采用WIN公司的0.15μm GaAs pHEMT工艺设计了一款工作频段为5G通信频段3~5 GHz的可变增益低噪声放大器。该放大器包含两级放大电路,均采用自偏置结构,降低了端口数量,通过调节第二级放大电路的控制电压在0至5 V之间变化,可实现系统增益的连续可调范围约39.3 dB(-3.5~35.8 dB)。放大器版图尺寸为0.94×1.24 mm^(2)。控制电压为0 V时,系统噪声为0.53±0.01 dB,增益为35.5±0.35 dB,中心频点4 GHz处,OP1dB为13.2 dBm, OIP3达到32.7 dBm,表明系统具有良好的线性度。Aiming at the problem that wireless receivers need to amplify the signals of different intensities to different degrees,a variable-gain low noise amplifier operating in the 5G communication band from 3 to 5 GHz was designed in WIN's 0.15μm GaAs pHEMT process.The amplifier included two stages of amplification circuits,both of which adopted a self-biased structure to reduce the number of ports,and the continuously adjustable range of the system gain of about 39.3 dB(-3.5-35.8 dB)can be achieved by adjusting the control voltage of the second stage amplification circuit to vary from 0 to 5 V.The footprint is 0.94×1.24 mm^(2).At a control voltage of 0 V,the system noise is 0.53±0.01 dB,and the gain is 35.5±0.35 dB.At the center frequency point of 4 GHz,the OP1dB is 13.2 dBm,and the OIP3 reaches 32.7 dBm,indicating that the system has a good linearity.
分 类 号:TN432[电子电信—微电子学与固体电子学] TN722
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