面向射频集成电路的负电容和负电感元件  

作　　者：秦绪 李越[1] 

机构地区：[1]清华大学电子工程系

出　　处：《科技纵览》2024年第2期76-77,共2页IEEE Spectrum

基　　金：国家自然科学基金优秀青年科学基金项目(批准号:62022045);联合基金重点项目(批准号:U22B2016)的支持。

摘　　要：负电容和负电感是一类特殊的电路元件,具有与传统正电容和正电感元件截然不同的阻抗特性,可使电路的阻抗匹配带宽突破传统的共轭匹配极限,实现宽带阻抗匹配。将其应用于射频集成电路,可显著提高系统性能。现有的负电容和负电感元件是通过多阶晶体管的有源电路实现的,但同时也存在一些问题,比如:引入了晶体管的直流功耗;限制了射频集成电路的高频性能;在有源电路中,晶体管的偏置电路还会增加电路设计的复杂度。这为射频电路系统的进一步集成带来了挑战。

关 键 词：射频集成电路 负电容 偏置电路 高频性能 射频电路 宽带阻抗匹配 电感元件 有源电路 

分 类 号：TN7[电子电信—电路与系统]