主题:固态太赫兹器件及应用  

作　　者：张凯[1] 张波[2,3] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第五十五研究所 [2]电子科技大学 [3]太赫兹技术教育部重点实验室

出　　处：《固体电子学研究与进展》2024年第2期183-183,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：太赫兹技术被称为“改变世界的十大科技之一”,近年来在雷达、通信、探测、天文、医学生物等多个领域展现出了极高的科学研究和应用价值,逐渐成为学术界和产业界的研究热点。随着半导体制造工艺的不断发展,固态半导体器件在太赫兹“信号产生”与“信号接收”中发挥着重要作用。硅基半导体(如CMOS、SiGe等)器件具有低成本、小型化及高集成度特点,而化合物半导体(如GaAs、InP、GaN等)器件具有优异的高频特性及功率、噪声特性,研究不同的太赫兹器件应用具有重要意义。为进一步探索固态太赫兹器件相关的关键技术并解决其面临的实际问题,《固体电子学研究与进展》计划开展“固态太赫兹器件及应用”专题栏目组稿,现向相关专家学者征集该方向的研究论文及展望综述,以促进该领域的技术交流、创新与发展。

关 键 词：半导体制造工艺 太赫兹器件 化合物半导体 固体电子学 半导体器件 高频特性 信号接收 专题栏目 

分 类 号：O441[理学—电磁学]