特斯拉Model S驱动系统的结构与工作原理解析(四)  

作　　者：蔡元兵 

机构地区：[1]惠州城市职业学院

出　　处：《汽车维修与保养》2024年第3期55-57,共3页For Repair & Maintenance

摘　　要：(接上期)6.IGBT的概念与结构特性IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管是由GTR(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。

关 键 词：绝缘栅双极型晶体管 功率半导体器件 饱和压降 开关速度 场效应管 双极型三极管 GTR 高输入阻抗 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]