钽阳极块表面氧化膜晶化机理研究  

Crystallization Mechanism of Oxide Film on Tantalum Anode Surface

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作  者:杨国启 王刚 黄俊 华浩东 邓凯迪 沈建华 邓俊涛 潘齐凤 张波 YANG Guoqi;WANG Gang;HUANG Jun;HUA Haodong;DENG Kaidi;SHENG Jianhua;DENG Juntao;PAN Qifeng;ZHANG Bo(China Zhenhua(Group)Xinyun Electronic Components and Derices Co.,Ltd.,Guiyang 550018,China;Guizhou Zhenhua Electronic Informat ion Industry Technology Research Co.,Ld.,Guiyang 550018,China)

机构地区:[1]中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司,贵州贵阳550018 [2]贵州振华电子信息产业技术研究有限公司,贵州贵阳550018

出  处:《湖南有色金属》2024年第2期52-59,共8页Hunan Nonferrous Metals

摘  要:随着钽电容器高比容化和小型化的发展,15000~20000μFV/g比容的片式钽粉已被电容器厂家投入生产并使用。本研究通过两种不同粉末制备的的烧结块SEM、颗粒强度、粒度分布、孔隙度、烧结曲线等的测试结果进行分析对15000~20000μFV/g比容的片式钽粉的制备提出了新的要求和建议。With the development of high specific capacitance and miniaturization of tantalum capacitors,flake tantalum powder of 15000~20000μFV/g specifie capacitance has been put into production and used by capacitor manufacturers.Based on the analysis of the results of SEM,particle strength,particle size distribution,porosity and sintering curve of two different powders,new requirements and suggestions for the preparation of 15000~20000μFV/g specific volume chip tantalum powder were put forward.

关 键 词:钽阳极块 SEM 颗粒强度 粒度分布 孔隙度 烧结曲线 

分 类 号:TG146.416[一般工业技术—材料科学与工程]

 

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