基于第一性原理计算方法的氮化铟量子点发光二极管电子结构和发光机制分析  

Analysis of Electronic Structure and Luminescence Mechanism of Indium Nitride Quantum Dot Light-emitting Diodes Based on First Principles Calculation Method

作　　者：罗达峰 吴洁[1] 冯贤娟[1] 刘蕊 LUO Dafeng;WU Jie;FENG Xianjuan;LIU Rui(Xinglin College,Nantong University,Jiangsu 226000,China;School of Physical Science and Technology,Nantong University,Jiangsu 226000,China)

机构地区：[1]南通大学杏林学院,江苏226000 [2]南通大学物理科学与技术学院,江苏226000

出　　处：《电子技术（上海）》2024年第2期34-35,共2页Electronic Technology

基　　金：江苏省高等教育学会评估委员会课题(2021-C122);南通大学杏林学院教育教学研究项目(2022J12)。

摘　　要：阐述通过对氮化铟量子点发光二极管的能带结构、电子态密度和能带间隙等参数分析,揭示器件中电子和空穴的分布情况,以及发光行为的原理。氮化铟量子点发光二极管具有优良的发光性能。This paper describes the analysis of the band structure,electronic density of states,and band gap parameters of indium nitride quantum dot light-emitting diodes,revealing the distribution of electrons and holes in the devices,as well as the principles of luminescence behavior.Indium nitride quantum dot light-emitting diodes have excellent luminescent properties.

关 键 词：氮化铟量子点 发光二极管 第一性原理计算 电子结构 发光机制 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]