基于SECM探究含镓铝合金微区腐蚀行为  

作　　者：陈志文 辛延琛 廖中华 马英群 王友彬 

机构地区：[1]广西大学资源环境与材料学院,广西南宁530004 [2]广西科技经济开发中心有限公司,广西南宁530022

出　　处：《大众科技》2024年第1期63-68,共6页Popular Science & Technology

基　　金：广西自治区级大学生创新创业训练计划资助项目(20220100005)。

摘　　要：为探究杂质镓(Ga)对铝合金微区腐蚀行为的影响,采用宏观电化学测试技术及扫描电化学显微镜(SECM)研究含镓铝合金在Na Cl溶液中的腐蚀行为。研究结果显示,随着Ga含量的升高,铝合金阻抗值由4.80×10^(3)Ω·cm^(2)降至4.07×10^(2)Ω·cm^(2),腐蚀电位由-0.72 V降至-1.00 V,腐蚀电流密度由1.55μA/cm^(2)增大到47.90μA/cm^(2);从铝合金中溶解出的Ga^(3+)可以再沉积到铝合金表面,破坏其表面氧化膜;铝合金在浸泡0.5 h后即发生明显腐蚀,且腐蚀区域随时间增加不断扩展。研究表明,Ga可增加铝的电化学活性,破坏其表面氧化膜,从而加快腐蚀。

关 键 词：铝合金 镓 微区腐蚀 扫描电化学显微镜 

分 类 号：TG17[金属学及工艺—金属表面处理]