高端芯片制造存在“小院高墙”吗——理论解析与中国突破路径模拟  

Does There Exist"Small-yard and High-fence"in High-end Chip Manufacturing:Theoretical Analysis and Simulation of China's Breakthrough Path

作　　者：渠慎宁[1] 杨丹辉[1] 兰明昊[2] Qu Shenning

机构地区：[1]中国社会科学院工业经济研究所 [2]国家发展和改革委员会地区经济司

出　　处：《复印报刊资料（创新政策与管理）》2023年第10期79-93,共15页Innovative policyand management

基　　金：阐释党的十九届五中全会精神国家社会科学基金重大项目“推进新型工业化与经济体系优化升级”(批准号21ZDA021);中国社会科学院创新工程项目“新兴产业高质量发展研究”;中国社会科学院登峰战略优势学科(产业经济学)的资助。

摘　　要：近年来,中国高端芯片制造遭遇的严重“卡脖子”问题已成为影响产业链自主安全乃至国家经济安全的突出短板。有别于现有研究多将中国高端芯片制造难以实现突破归因于技术能力不足或地缘政治阻碍,本文论证了根植于现有企业市场势力的产业组织因素同样对潜在进入者构成了很高的壁垒。本文发现,当前高端芯片制造市场的主要参与者ASML、三星、台积电、英特尔之间建立了较为紧密的“1+3”研发合作联盟,由此抬高了技术和资本双密集行业的进入壁垒,引致高端芯片制造环节表现出“小院高墙”式的组织结构特征。通过构建嵌入异质性研发合作的网络博弈模型发现,在高端芯片制造“小院”中存在“上游研发合作,下游产品竞争”的独特竞争范式,即主要市场主体既具备寡占地位,彼此之间又开展激烈的竞争,并因深度捆绑的研发合作关系形成了较为稳定的市场均衡。潜在进入者若试图在这一市场上“分一杯羹”,就会影响现有企业的均衡利润,必然会遭到联合抵制,即产生“高墙效应”,这也是包括中国企业在内的市场主体进入该领域面临的难以克服的制约因素之一。进一步,本文采用多情景数值模拟和稳健性检验,设计了中国突破“小院高墙”封锁可能选择的路径,以及与在位市场主体开展“合纵连横”、逐步融入产业生态的市场策略。本文的政策启示是,把中国企业突破高端芯片制造“卡脖子”短板的路径扩展到市场主体的经济利益实现与分配上,为改进现行集成电路产业政策提供了基于产业组织理论的学理性思考和新的视角。

关 键 词：集成电路 芯片制造 小院高墙 进入壁垒 突破路径 

分 类 号：F426.63[经济管理—产业经济]