手机快充智能防护方案  

Intelligent protection scheme in mobile phone fast charging

作　　者：王军 李佳豪 严林 

机构地区：[1]上海电子线路智能保护工程技术研究中心,上海201202 [2]上海维安电子股份有限公司,上海201202 [3]上海科学院新型功率半导体研究中心,上海201202

出　　处：《电子产品世界》2024年第4期4-7,共4页Electronic Engineering & Product World

摘　　要：随着手机和其他便携式电子产品的快速发展,快充技术逐渐成为主流。因此充电端口的过温、浪涌防护越来越受到重视。传统快充领域需要对浪涌事件与充电端口发热引发自燃的状况分别进行防护。提出一种快充端口防护方案,采用双向瞬态电压抑制器(transient voltage suppressor,TVS)和电阻组成自适应模块用于浪涌检测,利用过温防护(over temperature protection,OTP)金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)作为浪涌泄放单元。当浪涌事件发生时,TVS被击穿,小电流流经串联的电阻并驱动OTP MOSFET泄放后续的大浪涌电流,对后续敏感集成电路(integrated circuit,IC)起到保护作用。另外,OTP MOSFET还具有充电端口异常时防烧的功能。当温度过高时,微控制单元(microcontroller unit,MCU)将驱动OTP MOSFET导通,将电压总线(voltage bus,Vbus)短接到地。足够大的短路电流将使适配器进行过流防护操作,以关闭充电电流,保护充电端口。

关 键 词：浪涌 快充技术 OTP MOSFET 

分 类 号：TN40[电子电信—微电子学与固体电子学]