为什么EliteSiC M3S技术是高速开关应用的更优选择?  

作　　者：Fatih Cetindag 

机构地区：[1]安森美汽车电源部

出　　处：《中国电子商情》2023年第10期37-40,共4页China Electronic Market

摘　　要：碳化硅(SiC)具有比硅(Si)更高的介电击穿场强、能带隙和热导率,电力电子设计人员可以利用这些特性来开发比硅基IGBT器件效率更高、功率密度更大的电源转换器。针对这些应用,为了最大限度地减少高频下的导通和开关损耗,需要使用低RDS(on)和低Qrr(体二极管反向恢复电荷)的器件。

关 键 词：电源转换器 反向恢复电荷 能带隙 电力电子 ELITE 高速开关 IGBT器件 开关损耗 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]