纳米银烧结GaN射频功率芯片研究  

作　　者：白红美 孙保瑞[1] 范国莹 李保第[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051

出　　处：《通讯世界》2024年第6期46-48,共3页Telecom World

摘　　要：为了解决纳米银浆无压烧结GaN射频功率芯片时,高长宽比管芯出现的两端烧结不良问题,利用红外热像仪和扫描电镜等分析手段研究烧结过程,对纳米银浆的烧结机制进行了深入研究,对比多款烧结银浆的烧结效果,提出了半烧结银的工艺方案,成功解决了高长宽比芯片两端烧结不良的问题,实现了纳米银浆在GaN射频功率芯片无压烧结方面的工艺突破,以期在GaN高功率射频工程化应用中得到广泛推广。

关 键 词：纳米银浆 GaN射频功率芯片 烧结不良 红外热像仪 

分 类 号：TN40[电子电信—微电子学与固体电子学]