检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]上海电子线路智能保护工程技术研究中心,上海201202 [2]上海维安电子股份有限公司,上海201202 [3]上海科学院新型功率半导体研究中心,上海201202
出 处:《电子产品世界》2024年第6期16-20,共5页Electronic Engineering & Product World
摘 要:研究了碳化钨(WC)与炭黑(C)分别作为导电粒子制备而成的两种过电流保护元件;对保护元件的体积、正温度系数(positive temperature coefficient,PTC)效应、电阻—温度(resistance-temperature,R-T)特性、耐电压等级、动作可靠性和环境可靠性等进行对比分析。结果表明,与聚偏氟乙烯/炭黑(PVDF/C)复合体系保护元件相比,聚偏氟乙烯/碳化钨(PVDF/WC)复合体系保护元件具有体积小、R-T转折温度高和R-T强度高的特点。当辐照剂量超过160 kGy时,可以消除负温度系数(negative temperature coefficient,NTC)效应现象,并将耐压等级提升至30 V以上。但是相较于PVDF/C复合体系保护元件,PVDF/WC复合体系保护元件在环境可靠性以及动作可靠性上还存在一定的差距,探究了产生上述差距的内在机制。
关 键 词:碳化钨 过电流保护元件 AEC-Q200 R-T特性
分 类 号:TB332[一般工业技术—材料科学与工程]
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