二维钙钛矿氧化物光敏高κ电介质  

Two-dimensional perovskite oxide as photoactive high-κdielectric

作　　者：李思远 刘欣亚 方晓生 Siyuan Li;Xinya Liu;Xiaosheng Fang(State Key Laboratory of Molecular Engineering of Polymers,Department of Materials Science,Fudan University,Shanghai 200433,China)

机构地区：[1]复旦大学材料科学系,聚合物分子工程国家重点实验室,上海200433

出　　处：《科学通报》2024年第21期3067-3069,共3页Chinese Science Bulletin

摘　　要：数十年来,芯片技术的发展推动着芯片晶体管的尺寸持续缩小,传统硅基晶体管正在接近其物理极限,晶体管尺寸的进一步缩小伴随着一系列重大挑战.二维半导体材料具有原子级厚度和独特的物理化学性质,有望避免短沟道效应,是光电子器件微型化过程中备受瞩目的沟道材料^([1]).

关 键 词：光电子器件 短沟道效应 原子级 钙钛矿氧化物 物理极限 电介质 晶体管 物理化学性质 

分 类 号：TN40[电子电信—微电子学与固体电子学]