《固体电子学研究与进展》专栏征稿 主题:固态太赫兹器件及应用  

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出  处:《固体电子学研究与进展》2024年第3期275-275,共1页Research & Progress of SSE

摘  要:太赫兹技术被称为“改变世界的十大科技之一”,近年来在雷达、通信、探测、天文、医学生物等多个领域展现出了极高的科学研究和应用价值,逐渐成为学术界和产业界的研究热点。随着半导体制造工艺的不断发展,固态半导体器件在太赫兹“信号产生”与“信号接收”中发挥着重要作用。硅基半导体(如CMOS、SiGe等)器件具有低成本、小型化及高集成度特点,而化合物半导体(如GaAs、InP、GaN等)器件具有优异的高频特性及功率、噪声特性,研究不同的太赫兹器件应用具有重要意义。

关 键 词:半导体制造工艺 化合物半导体 固体电子学 太赫兹器件 高频特性 信号接收 SIGE 医学生物 

分 类 号:O441[理学—电磁学]

 

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