检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:廖斌 王公展 冯宁 李愿 公群 刘旭华 Liao Bin;Wang Gongzhan;Feng Ning
机构地区:[1]中核核电运行管理有限公司
出 处:《电力设备管理》2024年第13期285-287,共3页Electric Power Equipment Management
摘 要:绝缘栅极双极晶体管(IGBT)是一种半导体器件,其结合了双极型晶体管(BJT),以及金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的特性,具有优秀的功率开关能力。其主要包括压接式和模块式两种封装类型。本文以压接式IGBT器件为主要研究内容,该类型器件在电力系统得到广泛应用。在应用过程中,该类型器件具备双面散热特性、短路失效模式等优势,尤其在电力系统中的串联型电压源换流器方面发挥重要作用。在此探究其在串联型电压源换流器场合下应用特性,旨在为提升电力系统效率和可靠性提供更多参考。
分 类 号:TN3[电子电信—物理电子学]
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