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作 者:陈逸群 林立华 胡海龙[1] 李福山[1] CHEN Yiqun;LIN Lihua;HU Hailong;LI Fushan(College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University,Fuzhou 350106,China)
机构地区:[1]福州大学物理与信息工程学院,福建福州350106
出 处:《发光学报》2024年第8期1343-1353,共11页Chinese Journal of Luminescence
基 金:国家重点研究与发展计划(2022YFB3606500);国家自然科学基金(62075043)。
摘 要:钙钛矿量子点(PQD)的喷墨打印技术在全彩显示应用中具有巨大潜力,但一些关键问题仍然影响其发光效率,例如不平衡的载流子注入、低质量的钙钛矿薄膜以及PQD自身的非辐射复合通道等。为解决这些问题,我们引入了界面修饰层苯乙基溴化铵(PEABr)以平衡器件的载流子传输。PEABr与钙钛矿二元溶剂(甲苯、萘)具有相似的结构,可改善PQD的印刷特性和成膜能力,并有效钝化PQD膜的Br-空位和界面缺陷。基于这一策略,成功实现了在414 cd/m^(2)亮度下,最大外量子效率(EQE)达到8.82%、电流效率(CE)达到29.15 cd/A的喷墨打印钙钛矿量子点发光二极管(PeLED),为喷墨打印技术在未来显示领域中的应用提供了有益的思路。Inkjet printing technology of perovskite quantum dots(PQD)hold great potential in full-color display applications,but several key issues still affect their efficiency,such as unbalanced charge carrier injection,low-quality perovskite films,and non-radiative recombination pathways of PQDs themselves.To address these issues,we introduce an interface improvement layer of Phenethylammonium bromide(PEABr)to balance the charge carrier transport in devices.PEABr has a similar structure to the binary solvent of perovskite(toluene,naphthalene),which can improve the printing characteristics and film-forming ability of PQDs and effectively passivate the Br-vacancies and interface defects of PQD films.Based on this strategy,we successfully achieved inkjet-printed perovskite quantum dot light-emitting diodes(PeLEDs)with a maximum external quantum efficiency(EQE)of 8.82%and a current efficiency(CE)of 29.15 cd/A at a brightness of 414 cd/m^(2),providing beneficial insights for inkjet printing technology in future display applications.
分 类 号:TN312.8[电子电信—物理电子学]
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