1 GHz~4 GHz 200 W超宽带GaN内匹配功率放大器的研究  

作　　者：吴志国[1] 银军[1] 余若褀 闫国庆 王毅 倪涛[1] 斛彦生[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051

出　　处：《通讯世界》2024年第8期13-15,共3页Telecom World

摘　　要：采用砷化镓无源集成电路(GaAs IPD)和陶瓷薄膜无源电路相结合的匹配技术,实现覆盖L波段、S波段的超宽带功率放大器的内匹配设计。功率放大器集成封装于内腔尺寸为30.6 mm×27.3 mm×5.0 mm的金属陶瓷气密管壳内,实现在1 GHz~4 GHz频段内、工作电压为48 V、占空比为10%、脉宽为100μs的条件下,带内输出功率大于220 W、功率增益达9.5~10.8 dB、附加效率达43%~55%的性能指标。

关 键 词：GaN功率放大器 GaAs IPD 内匹配 超宽带 小型化 

分 类 号：TN722[电子电信—电路与系统]