CIGS器件性能提升技术方案研究  

作　　者：何振新 

机构地区：[1]辽宁超粤激光科技集团有限公司,辽宁丹东118000

出　　处：《电子元器件与信息技术》2024年第7期9-11,15,共4页Electronic Component and Information Technology

摘　　要：铜铟镓硒(CuIn1-XGaXSe2,简称CIGS)是一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族硫属化合物半导体材料,属四方晶系黄铜矿结构。CIGS薄膜材料具有带隙可调控、光吸收系数高达105cm-1、经济性优异等特征,是一种极具发展前景的薄膜太阳能电池光吸收层材料。CIGS薄膜的制备方法很多,涂覆法由于工艺简单、生产成本低、适合大规模化生产等优点成为近几年研究的热点。而制备出具有物相单一、符合预期化学计量比等特点的理想CIGS前躯物粉体是获得高质量薄膜的关键因素。本文主要探讨了CIGS的原理、制备技术以及CIGS器件性能提升的技术方案。

关 键 词：半导体材料 铜铟镓硒 光伏器件 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]