基于0.18μm工艺带隙基准源的噪声分析及优化设计  

作　　者：王宝晶 李莹[1] 

机构地区：[1]天津现代职业技术学院智能工程学院,天津300222

出　　处：《电子元器件与信息技术》2024年第7期16-19,23,共5页Electronic Component and Information Technology

摘　　要：本文基于CMOS 0.18μm工艺对带隙基准源的噪声进行了分析及优化设计。首先对模拟集成电路噪声源进行了分析,然后针对带隙基准电路,得到所涉及各器件的噪声的功率谱密度(PSD)表达式。通过PSD计算公式,分析与噪声相关的参数,在综合考虑MOS器件热噪声和闪烁噪声对输出噪声的贡献后,提出了降噪方案:一是对带隙基准源电路中关键器件尺寸进行修正;二是对电路结构进行优化。最后基于tsmc18rf工艺库对带隙基准源电路进行了设计,并通过ADE仿真对降噪方案分别进行了验证。仿真结果表明,通过电路结构的优化,最终电路噪声减小了98%。

关 键 词：噪声 带隙基准电路 CMOS 0.18μm 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]