立方砷化硼晶体生长、性能及应用研究进展  

Research Progress in Crystal Growth,Physical Properties and Application of Cubic Boron Arsenide

作　　者：王媛媛 张璐 程洗洗 钱麒 徐欢 徐华 杨雪舟 杨波波 邹军 WANG Yuanyuan;ZHANG Lu;CHENG Xixi;QIAN Qi;XU Huan;XU Hua;YANG Xuezhou;YANG Bobo;ZOU Jun(School of Science,Shanghai Institute of Technology,Shanghai 201418,China;Silanex Technology(Taizhou)Co.,Ltd.,Taizhou 318000,Zhejiang,China;Zhejiang Anbei New Material Co.,Ltd.,Huzhou 313000,Zhejiang,China;Guang Dong KG Lighting Technology Co.,Ltd.,Zhongshan 528400,Guangdong,China;Ningbo Longer Lighting Co.,Ltd.,Ningbo 315301,Zhejiang,China)

机构地区：[1]上海应用技术大学理学院,上海201418 [2]惠创科技(台州)有限公司,浙江台州318000 [3]浙江安贝新材料股份有限公司,浙江湖州313000 [4]广东皇智照明科技有限公司,广东中山528400 [5]宁波朗格照明电器有限公司,浙江宁波315301

出　　处：《材料导报》2024年第17期104-113,共10页Materials Reports

基　　金：国家重点研发计划(2021YFB3501700);上海市2022、2023年度“科技创新行动计划”农业科技领域项目(22N21900400,23N21900100);国家自然科学基金委员会,青年科学基金项目(12104311);上海应用技术大学中青年教师科技人才发展基金(ZQ2022-3);上海市晨光计划(22CGA74)。

摘　　要：立方砷化硼(c-BAs)是一种间接带隙、闪锌矿结构的新型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。第一性原理计算预测c-BAs具有超高的热导率,从而激发了对其晶体合成和性能研究的热潮。尤其是近年来在晶体生长方面取得的突破性进展,通过化学气相传输(CVT)法制备了毫米尺寸的高质量c-BAs单晶,室温下其热导率高达1300 W·m^(-1)·K^(-1),吸引了人们极大的关注,也进一步鼓舞了人们对其理论和实验方面的研究。本综述将归纳总结近年来关于c-BAs理论计算、晶体生长、物理性能以及材料应用方面的研究进展,阐述了该晶体制备方面所面临的挑战,并对其发展前景进行展望。Cubic boron arsenide(c-BAs)is a new type of groupⅢ-Ⅴcompound semiconductor material with indirect band gap and zinc blend structure.First-principles calculations predict that c-BAs have extremely high thermal conductivity,which has stimulated a great deal of research on crystal synthesis and properties.In particular,recent breakthroughs in crystal growth,such as the preparation of millimeter-size high quality c-BAs single crystals by chemical vapor transport(CVT)method,with thermal conductivity up to 1300 W·m^(-1)·K^(-1) at room temperature,have attracted great attention and further encouraged the theoretical and experimental research.In this review,we summarize the recent research progress in the theoretical calculation,crystal growth,physical properties and material application of c-BAs,describe the challenges in the preparation of the crystal,and prospect its development prospects.

关 键 词：砷化硼 晶体生长 化学气相传输 热导率 热管理材料 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]