前言  

作　　者：王岭雪 

机构地区：[1]不详

出　　处：《红外技术》2024年第10期1119-1119,共1页Infrared Technology

摘　　要：低照度成像技术是解决低光照(具体指0.1 lux以下)环境获取视频图像的技术。按照是否包含真空系统,低照度成像器件主要分为三类:第一类是利用外光电效应的真空光电子成像器件,比如基于多碱材料体系的超二代微光像增强器、基于Ga As材料体系的三代微光像增强器;第二类是利用内光电效应的固体成像器件,比如基于硅材料体系的电子倍增CCD(EMCCD)/CMOS(EMCMOS)和低照度CMOS成像器件、基于 Ⅲ-Ⅴ族In P/In Ga As材料体系的短波红外In Ga As探测器等;第三类是结合真空和固体器件优势的混合型成像器件,如电子轰击CCD(EBCCD)、电子轰击有源像素CMOS器件的EBAPS。

关 键 词：微光像增强器 CMOS器件 电子倍增CCD 电子轰击 多碱 INGAAS探测器 外光电效应 短波红外 

分 类 号：TN219[电子电信—物理电子学]