基于SiC与IGBT的驱动电路设计  

Design of driver circuits based on SiC and IGBT

作　　者：姜北 张全柱[1] 李晓鹏 李昕禹 李清林 

机构地区：[1]华北科技学院信息与控制技术研究所,河北廊坊065201

出　　处：《电子产品世界》2024年第11期21-25,共5页Electronic Engineering & Product World

基　　金：中央高校基本科研业务费资助项目“无人机供电系统的研究”(050201030705)。

摘　　要：功率半导体器件是电力电子系统中的关键器件。目前市面上主流的功率半导体器件有绝缘栅双极型晶体管(insulate-gate bipolar transistor,IGBT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)、碳化硅(silicon carbide,SiC)等,并且其设计逐渐向大功率、高电压发展,此时设计一种稳定可靠的驱动电路就显得尤为重要。分析了1ED34x1Mc12M驱动芯片的各项参数,并以该芯片为核心设计了驱动及保护电路。该电路可用于驱动及保护IGBT和SiC。实验结果表明,该驱动电路输出功率大、稳定性好,可以满足IGBT和SiC驱动的实际需求。

关 键 词：1ED34x1Mc12M芯片 驱动电路 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 碳化硅(SiC) 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学] TN386