硅片表面线痕测试方法的研究与实现  

作　　者：尹昊 

机构地区：[1]长沙职业技术学院,湖南长沙410217

出　　处：《中国新技术新产品》2024年第21期55-57,共3页New Technology & New Products of China

摘　　要：通过搭建测试系统,对硅片线痕进行测试,分别采用移动平均法和高斯分布平均法进行处理,对比分析2种方法的效果。试验结果显示,与移动平均法相比,高斯分布平均法噪声消除以及平滑能力提高,具有明显优势。高斯分布平均法更适合用于硅片线痕测试,其能有效提高测试结果的准确性和平滑性。该研究为硅片线痕测试提供了一种更优的方法选择,有助于提高测试效率和准确性,对硅片制造和质量控制具有重要意义。

关 键 词：移动平均法 高斯分布平均法 线痕 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]