CNT薄膜基电致调控器件的失效分析研究  

作　　者：扈心舒 王长昊 王如志[1] 

机构地区：[1]北京工业大学,北京100124

出　　处：《产业创新研究》2024年第22期130-132,共3页Industrial Innovation

基　　金：国家重点研发计划项目“新型高效深红-近红外发光材料及应用技术”(项目编号:2021YFB3500403)。

摘　　要：本工作探讨了碳纳米管薄膜基电致调控器件在多种模拟环境下的失效行为。研究发现,这些器件在经过服役后、长时间放置及恶劣环境等条件下均显示出性能下降或器件失效的现象,进一步分析了器件失效的原因。本研究工作将为优化碳纳米管薄膜的电致调控器件制备与工艺优化提供技术参考,进而提升器件的环境适应性,延长其使用寿命。本研究不仅对未来器件与材料的设计、制备具有重要参考价值,同时也为红外发射率调控器件在日常生活和工业生产中应用与持续发展和创新提供了有力支撑。

关 键 词：红外发射率 碳纳米管 失效分析 

分 类 号：TN03[电子电信—物理电子学]