BN-GaN异质结器件中子探测性能研究  

作　　者：刘吉珍 王旭[1] 杨毓枢 王玮[1] 

机构地区：[1]中国核动力研究设计院,四川成都610005

出　　处：《科技视界》2024年第25期87-90,共4页Science & Technology Vision

摘　　要：氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料的代表,因其独特的物理特性,如宽禁带、高电子饱和漂移速度和高击穿场强等,在光电器件及高能物理探测领域展现出巨大潜力。而氮化硼(BN)材料,以其优异的载流子迁移率和光吸收能力,成为与GaN结合形成异质结的理想候选。文章深入探讨了BN-GaN异质结器件在中子探测领域的应用及其性能表现,通过实验与理论分析,研究了BN-GaN异质结器件在中子探测中的性能特点,并探讨了其应用前景。

关 键 词：探测性能 BN-GaN异质结器件 中子探测 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]